特許
J-GLOBAL ID：200903086693055978
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350703
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202342
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】本発明は、単一の素子で、ほぼ同一の領域から外部に出射されるレーザ光の偏光を制御可能にした半導体発光素子に関する。【構成】単一の半導体基板1と、クラッド層2と、量子井戸層3と、量子井戸層に電流を注入する電流注入手段4とを有する半導体発光素子において、量子井戸層がTEモードを発光する第1の量子井戸層5と、TMモードを発光する第2の量子井戸層6とを含み、電流注入手段が注入した電流によってそれぞれ制御されたTEモードの光とTMモードの光とがほぼ同一の領域から外部に出射されるようになっている。
請求項（抜粋）：
単一の半導体基板(1)と、クラッド層(2)と、量子井戸層(3)と、該量子井戸層に電流を注入する電流注入手段(4)とを有する半導体発光素子において、前記量子井戸層がTEモードを発光する第1の量子井戸層(5)と、TMモードを発光する第2の量子井戸層(6)とを含み、前記電流注入手段が注入した電流によってそれぞれ制御されたTEモードの光とTMモードの光とがほぼ同一の領域から外部に出射されるようになっていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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