特許

J-GLOBAL ID：200903086695112472

サブミクロンメモリとして使用するのに適した高磁気安定性デバイス

発明者： ギッリエス ムッライ エフ ,  レンッセン カルス-ミシェル エイチ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-555519
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513795
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

サブミクロンのセル寸法で使用することができるMRAMセルのような磁気デバイスセルが記載されている。本発明は、読み出しが実行されていない場合にスピンバルブの2つの磁化方向が反平行となるような記憶状態を生成することにより磁気デバイスセルを安定化させる方法を説明する。これは、スピンバルブ又はスピントンネル接合における磁化方向の平行状態が不安定となるような小さな寸法における問題を防止する。高保磁力メモリ層が低保磁力キーパ層と組み合わされる。読み出し過程も簡略化された。即ち、本発明による磁気デバイスセルに記憶されたデータを検出するには、ビットライン上の1つのパルス及びワードラインにおける抵抗の測定のみで充分である。

請求項（抜粋）：

- 非磁性スペーサ層により分離され、これにより多層構造を形成する第1及び第2の強磁性又はフェリ磁性層であって、前記第1の強磁性又はフェリ磁性層が第1の値の保磁力を有すると共にメモリ層として使用され、前記第2の強磁性又はフェリ磁性層が前記第1の値より小さな値の第2保磁力を有するような第1及び第2の強磁性又はフェリ磁性層と、 - 休止状態において、前記第1及び第2の強磁性又はフェリ磁性層の磁化方向を反平行状態に強制する手段と、 を有することを特徴とする磁気デバイス。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 150 ,  H01L43/08 Z

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09