特許
J-GLOBAL ID：200903086695364765

半導体装置の製造方法

発明者：
柴田 和孝

柴田 和孝 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299341
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 コスト的に有利に、ポストメタルの周囲を十分な膜厚をもって封止することができるとともに、封止樹脂内へのボイドの残存を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 回路素子およびこれに導通する電極パッド20が形成され領域が複数設けられたウエハWfを用いて半導体装置を製造する方法において、各電極パッド20に導通するポストメタル4を形成する工程と、各ポストメタル4が埋設されるようにして樹脂層40Aを形成する工程と、ウエハWfを、各領域A毎に分画して個々の半導体装置とする工程と、を含み、樹脂層40Aを形成する工程を、真空下における印刷法により、各ポストメタル4の周囲を粘液状化された樹脂40aで埋めた後、これを硬化させることによって行なう。
請求項（抜粋）：
個々の半導体装置となるべき領域が複数設けられ、かつ上記各領域のそれぞれに、回路素子およびこれに導通する複数の電極パッドが設けられたウエハを用いて半導体装置を製造する方法であって、上記各電極パッドに導通するポストメタルを複数形成する工程と、上記各ポストメタルが埋設されるようにして樹脂層を形成する工程と、上記ウエハを、上記各領域毎に分画して個々の半導体装置とする工程と、を含み、かつ、上記樹脂層を形成する工程は、真空下における印刷法により、上記各ポストメタルの周囲を粘液状化された樹脂で埋めた後、この樹脂を硬化させることによって行なわれることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/92 604 M ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 L
Fターム (4件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA12 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (8件)
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