特許
J-GLOBAL ID：200903086697597708
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046730
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241381
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 書換え耐性を向上できる半導体不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】 しきい値を設定し電気的に情報を書込み・消去可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、該セルに接続した複数のワード線及び複数のビット線と、該ビット線に接続し、複数の不揮発性半導体メモリセルの書込み・消去データを保持する複数のラッチ回路とを有し、データの消去時には複数のラッチ回路の全てのデータを同一に設定し該メモリセルのしきい値設定動作を行い、該しきい値の状態に応じ複数のラッチ回路の消去データを再設定し、該消去データに応じ該セルごとにしきい値設定動作の継続または停止を制御し、データの書込み時所定のラッチ回路のみデータを同一に設定し該メモリセルのしきい値設定動作を行い、該しきい値の状態に応じ複数のラッチ回路の書込みデータを再設定した書き込みデータに応じしきい値設定動作の継続または停止を制御する。
請求項（抜粋）：
しきい値を設定することにより電気的に情報を書き込み・消去可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、上記複数の不揮発性半導体メモリセルに接続された複数のワード線と、上記複数の不揮発性半導体メモリセルに接続された複数のビット線と、上記複数のビット線にそれぞれ接続され、それぞれが上記複数の不揮発性半導体メモリセルの書込み・消去データを保持する複数のラッチ回路とを有し、データの消去時には上記複数のラッチ回路の全てのデータを同一に設定して上記複数の不揮発性半導体メモリセルのしきい値設定動作を行い、上記しきい値設定動作後の各不揮発性半導体メモリセルのしきい値の状態に応じて上記複数のラッチ回路の上記消去データが再設定され、上記再設定された上記消去データに応じて各不揮発性半導体メモリセルごとに上記しきい値設定動作の継続または停止を制御し、データの書込み時には上記複数のラッチ回路のうち所定のラッチ回路のみデータを同一に設定して上記複数の不揮発性半導体メモリセルのしきい値設定動作を行い、上記しきい値設定動作後の各不揮発性半導体メモリセルのしきい値の状態に応じて上記複数のラッチ回路の上記書き込みデータが再設定され、上記再設定された上記書き込みデータに応じて各不揮発性半導体メモリセルごとに上記しきい値設定動作の継続または停止を制御することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
FI (3件)：
G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 612 B
