特許
J-GLOBAL ID:200903086698293737

半導体レーザ励起固体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-225352
公開番号(公開出願番号):特開平7-086668
出願日: 1993年09月10日
公開日(公表日): 1995年03月31日
要約:
【要約】【目的】 半導体レーザ励起Qスイッチ固体レーザ装置においてQスイッチ動作によって高パワーの固体レーザビームが半導体レーザに帰還しない手段を設け、半導体レーザを劣化や破壊から護する。【構成】 レーザ結晶を含む共振器構造と、共振器内Qスイッチと、前記レーザ結晶を励起する半導体レーザが前記共振器によって形成される固体レーザの発振ビームの光軸上に配置された固体レーザ装置で、固体レーザ発振ビームが前記励起用半導体レーザに帰還しないためのアイソレート構造を有する。
請求項(抜粋):
レーザ結晶を含む共振器構造と、共振器内部に配置されたQスイッチと、前記レーザ結晶を励起するための半導体レーザが前記共振器によって形成される固体レーザの発振ビームの光軸上に配置された固体レーザ装置において、固体レーザ発振ビームが前記励起用半導体レーザに帰還しないためのアイソレート構造を有する半導体レーザ励起固体レーザ装置。
IPC (3件):
H01S 3/094 ,  H01S 3/117 ,  H01S 3/16

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