特許
J-GLOBAL ID：200903086705509341
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176818
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【構成】 真空槽10内に、ターゲット11を設置する第1の電極12と、基板13を設置する第2の電極14と、それらの間のコイル状の第3の電極15を有するスパッタリング装置に対し、第1の電極12と第3の電極15の間にメッシュ状の第4の電極18を設け、第1の電極12と第3の電極15にはそれぞれ高周波電圧を、第2の電極14には直流電圧を印加してスパッタリングを行う。【効果】 高品質な導電膜、絶縁膜や半導体膜を、種々な材質の基板の上に堆積させることができる。
請求項（抜粋）：
ターゲットを設置する第1の電極と、基板を設置する第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極の間に配置されたコイル状の第3の電極を有するスパッタリング装置において、少なくとも1つの電極からなる電極群を前記第1の電極と前記第2の電極の間に有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/42
, C23C 14/34
, H01L 21/203
