特許
J-GLOBAL ID：200903086707365371
GaN系窒化物半導体自立基板の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
重信 和男
, 内野 春喜
, 清水 英雄
, 高木 祐一
, 中野 佳直
, 秋庭 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131183
公開番号（公開出願番号）：特開2009-007241
出願日： 2008年05月19日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなGaN系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上にGaNドット及びNH4Cl層を形成する工程と、GaNドット及びNH4Cl層上に低温GaNバッファ層を形成する工程、低温GaNバッファ層上にGaN系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりGaN系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、GaN系窒化物半導体自立基板の作製方法である。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
基板を準備する工程と、該基板上にGaNドット及びNH4Cl層を形成する工程と、GaNドット及びNH4Cl層上にIII-V族窒化物半導体からなる低温バッファ層を形成する工程と、低温バッファ層上にGaN系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりGaN系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、GaN系窒化物半導体自立基板の作製方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, H01L 33/00
, H01S 5/323
C30B29/38 D
, C30B25/18
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EF03
, 4G077FE11
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA06
, 4G077TB02
, 4G077TC01
, 4G077TC14
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 5F041AA04
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA40
, 5F041CA67
, 5F173AG14
, 5F173AH22
, 5F173AP07
, 5F173AQ02
, 5F173AQ12
, 5F173AQ15
, 5F173AR82
, 5F173AR92
