カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-102854
公開番号（公開出願番号）：特開2008-266329
出願日： 2008年04月10日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】融点が低く、気化特性に優れ、かつ基板上での成膜温度が低い有機金属化合物を提供し、それを原料としてCVD法によりルテニウム含有薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】一般式[7](式中R5〜R8は水素または炭素数1〜6のアルキル、エーテル、エステル、アルデヒド、アルコール、ケトン、ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アミン、アミドを示す。)で表される有機ルテニウム化合物[具体例カルボニルビス(2-メチル-1,3-ペンタジエン)ルテニウム]を原料とし、化学気相蒸着法等によりルテニウム含有薄膜を製造する。【選択図】図22

請求項（抜粋）：

一般式[7]

IPC (2件)：

C07C 11/12 , C23C 16/18

FI (2件)：

C07C11/12 , C23C16/18

Fターム (22件)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB84 , 4H006AB91 , 4H006AC90 , 4H006BA07 , 4H006BB14 , 4H050AA01 , 4H050AA02 , 4H050AC90 , 4H050BB14 , 4H050BE24 , 4H050WB11 , 4H050WB21 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030FA10

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