特許
J-GLOBAL ID:200903086713629542

レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-198164
公開番号(公開出願番号):特開2001-022075
出願日: 1999年07月12日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性を有するDUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーに好適なレジスト用樹脂および化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸によりアルカリ水溶液に可溶となるレジスト用樹脂であって、式(1)、(2)および(3)から選ばれる少なくとも1種の構造を有する単量体単位が含まれていることを特徴とするレジスト用樹脂。【化7】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化8】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化9】(Rは水素原子またはアルキル基、mは0〜3の整数、nは0〜10の整数)
請求項(抜粋):
酸によりアルカリ水溶液に可溶となるレジスト用樹脂であって、式(1)、(2)および(3)から選ばれる少なくとも1種の構造を有する単量体単位が含まれていることを特徴とするレジスト用樹脂。【化1】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化2】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化3】(Rは水素原子またはアルキル基、mは0〜3の整数、nは0〜10の整数)
IPC (3件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 24/00 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 24/00 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (40件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB30 ,  2H025CB52 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL10Q ,  4J100AR28Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA11R ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC54Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (4件)
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