特許

J-GLOBAL ID：200903086720496132

配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造

発明者： 山口 浩一 ,  浜田 紀彰 ,  米倉 秀人 ,  東 昌彦 ,  民 保秀 ,  古久保 洋二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283832
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129782
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】有機樹脂を含有する外部電気回路基板に対する電気的接続が不安定であり、また高熱膨張の絶縁基板を高品質で且つ安価に製造する方法について検討されていない。【解決手段】Cuなどのメタライズ配線層を絶縁基板の表面あるいは内部に配設した配線基板あるいは半導体素子収納用パッケージにおいて、絶縁基板が少なくともSiO2 、Al2 O3 およびNa2 Oとを含有する屈伏点が400〜800°Cのソーダアルミニウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体により構成し、これを有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に実装する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が、少なくともSiO2 、Al2 O3 およびNa2 Oとを含有する屈伏点が400〜800°Cのソーダアルミニウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/14 C ,  H05K 1/03 610 C ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T