特許

J-GLOBAL ID：200903086720845331

基体の処理方法

発明者： 福田 航一 ,  相原 正己
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036953
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232263
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、処理した基体上に薄膜を形成する前に各種乾燥処理の工程が不要で、処理により基体表面の粗さ増大や平坦性の低下が少なく、基体から除去した有機物が再付着せず、かつ、減圧下においてもオゾンの発生効率の高い基体の処理方法及び処理装置を提供する。【解決手段】 本発明の基体の処理方法は、少なくとも排気手段を備えた気密室を有する、基体処理装置を用い、減圧下にある前記気密室内に置いた基体を、波長222nm以下の紫外線によって照射された酸素ガスに曝すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも排気手段を備えた気密室を有する、基体処理装置を用い、減圧下にある前記気密室内に置いた基体を、波長222nm以下の紫外線によって照射された酸素ガスに曝すことを特徴とする基体の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N