薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304295
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】特性のばらつきを小さくすると共に、オン電流とオフ電流の比を十分大きくしたTFTとその製造方法を提供することを目的とする。【構成】ガラス基板1上にゲート電極2が形成され、この上にゲート絶縁膜3を介してn- 型非晶質シリコンからなる活性層4が形成され、そのソース,ドレイン分離領域の表面にシリコン窒化膜5が形成され、さらにその表面には高濃度ボロンドープ層6が形成されている。高濃度ボロンドープ層6のボロン濃度は1021/cm3 以上であり、このシリコン窒化膜5とボロンドープ層6に一部重なるように、ソース,ドレイン領域には、n+ 型非晶質シリコンによるオーミックコンタクト層7が形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、この基板上にパターン形成されたゲート電極と、このゲート電極を覆うように前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成された高抵抗の非晶質シリコンからなる活性層と、この活性層上のソース,ドレイン領域に形成された低抵抗の非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層と、前記活性層の前記オーミックコンタクト層で覆われていない領域に形成された濃度1021/cm3 以上のボロンドープ層と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 N , H01L 29/78 311 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-192732
特開平1-276767
特開平1-241175

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