特許
J-GLOBAL ID:200903086726965800

X線装置用の方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-214392
公開番号(公開出願番号):特開2007-044520
出願日: 2006年08月07日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
【課題】セグメンテーション時の誤分類を回避する。【解決手段】対象内の物質の均質性の尺度として画像範囲(1)内の特性量を求めるためのX線装置用の方法において、少なくとも2つの異なるX線エネルギーE1,E2について、対象を通り抜けるX線の減弱を表す減弱値Di(E1),Di(E2)(i=1,...,N)を有する2つのX線画像(5,6)が検出され、画像範囲(1)において、第1のX線エネルギーE1で検出されたX線画像(5)の減弱値Di(E1)と、第2のX線エネルギーE2で検出されたX線画像(6)の減弱値Di(E2)とから、対応する画素Diについて、測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))が形成され、画像範囲(1)の測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))の統計的分布の評価によって対象の物質の均質性の尺度として特性量が求められる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
対象(4)内の物質の均質性の尺度として画像範囲(1)内の特性量Hを求めるためのX線装置用の方法において、 a)少なくとも2つの異なるX線エネルギーE1,E2について、対象(4)を通り抜けるX線の減弱を表す減弱値Di(E1),Di(E2)(i=1,...,N)を有する2つのX線画像(5,6)が検出され、 b)画像範囲(1)において、第1のX線エネルギーE1で検出されたX線画像(5)の減弱値Di(E1)と、第2のX線エネルギーE2で検出されたX線画像(6)の減弱値Di(E2)とから、対応する画素Diについて、測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))が形成され、 c)画像範囲(1)の測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))の統計的分布の評価によって対象(4)の物質の均質性の尺度として特性量Hが求められる ことを特徴とするX線装置用の方法。
IPC (1件):
A61B 6/03
FI (3件):
A61B6/03 373 ,  A61B6/03 375 ,  A61B6/03 360G
Fターム (5件):
4C093AA24 ,  4C093CA21 ,  4C093DA02 ,  4C093EA07 ,  4C093FF42
引用特許:
審査官引用 (4件)
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