特許
J-GLOBAL ID：200903086729798140
誘電体膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137894
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321227
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 基板上に異なる特性の誘電体膜をそれぞれ選択的に形成して誘電体容量を形成する場合には、各誘電体膜を個別の工程で成膜、パターニングする必要があり、製造工程が煩雑化する。【解決手段】 基板11上に下部電極13A,13Bを形成し、その上に一の特性の誘電体膜14を形成したのち、この誘電体膜14に対して選択的にレーザを照射して熱処理し、加熱された領域15の誘電体膜14を前記一の特性とは異なる特性に変質させ、その上に上部電極17を形成して得られる容量部の特性を相違させる。一の誘電体膜を形成するだけで、それぞれ異なる領域に異なる特性の誘電体膜が形成できるため、半導体基板上に異なる特性の誘電体容量を形成するための製造工程が簡略化できる。
請求項（抜粋）：
基板上に一の特性の誘電体膜を形成する工程と、形成された前記誘電体膜を選択的に熱処理して他の特性に変質させる工程を含むことを特徴とする誘電体膜の製造方法。
IPC (11件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/268
, H01L 21/285
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 41/18
, H01L 21/316
H01L 27/04 C
, H01L 21/268 Z
, H01L 21/285 S
, H01L 21/316 Y
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
, H01L 41/18 101 Z
