特許
J-GLOBAL ID：200903086736705858
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227339
公開番号（公開出願番号）：特開平5-065653
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】プラズマCVD装置において、マイクロ波をモード変換することなく拡げて大面積プラズマを空間分布が一様に生成し、大口径試料を効率よく均一に薄膜を形成する。【構成】拡がり角10°〜20°、好ましくは15°の円錐形状金属容器1の両端に真空封じを兼ねたマイクロ波窓3,6を設けてその内部を減圧し、導入されたマイクロ波を大面積に拡げてからプラズマ発生室2に導入し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを大面積で板状に試料前面に生成する。また、マイクロ波窓3が試料10に平行かつ近接して位置するように試料支持台11を設置し、両者間の狭い領域に電磁コイル8によりプラズマを板状に生成することにより、磁場コイル8も小型でよくなり、製作コストおよび使用電力を節約する。
請求項（抜粋）：
放電ガスが導入され、放電空間を形成するプラズマ発生室と、前記放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電空間内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを備え、このマイクロ波と放電空間内の磁場により生成した磁場中マイクロ波放電プラズマを利用し、放電空間内に設置された試料をプラズマ処理するプラズマCVD装置において、前記マイクロ波導入手段は、導波管と、マイクロ波導入端が小径側で前記導波管に接続され、先端部が大径側で前記プラズマ発生室に接続された円錐形状金属容器と、前記円錐形状金属容器の先端部に設置され、前記プラズマ発生室との間を真空封じする第1の誘電体板と、前記円錐形状金属容器のマイクロ波導入端を真空封じし、前記第1の誘電体板と協働して円錐形状金属容器を気密構造とする第2の誘電体板と、前記円錐形状金属容器内をマイクロ波で放電が起こらない状態に減圧する手段とを有し、前記円錐形状金属容器の拡がり角を片側10°〜20°にして先端部の開口径を前記放電空間で処理すべき試料の大きさ以上に拡げたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (6件)：
C23C 16/50
, C23C 14/35
, C30B 33/04
, H01L 21/31
, H01P 5/16
, H05H 1/16
