特許

J-GLOBAL ID：200903086736750462

ゲルマニウム上の堆積前の表面調製

発明者： ウィルク グレン
出願人/特許権者： エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-522688
公開番号（公開出願番号）：特表2007-516599
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

後の堆積、特に原子層堆積(ALD)によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面(200)を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面(200)は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ALD反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、-OH、-NH、及び/又は-NH2末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

請求項（抜粋）：

ゲルマニウム表面を酸素及び/又は窒素含有気相に曝露し、それによって改質した表面を形成すること;及び 該改質された表面上に誘電材料を原子層堆積すること; を含む集積回路の製造においてゲルマニウム表面上に膜を堆積する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/40

FI (5件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 M

Fターム (32件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD18 ,  5F058BE01 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ04