特許
J-GLOBAL ID：200903086744644396
絶縁膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-036469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069195
出願日： 1991年03月04日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】[目的] 結晶性の酸化膜を形成し膜欠陥のない高品質の絶縁膜を形成できる絶縁膜形成方法。[構成] Siの基板上に、Si単結晶膜51を赤外線加熱によりエピタキシャル成長させ、これに連続させて、このSi単結晶膜51上に赤外線加熱により絶縁膜としてSiO2膜53を成長させる。
請求項（抜粋）：
同一の反応炉内でシリコンの下地に絶縁膜を形成するに当り、還元性ガス雰囲気中での加熱処理と反応性ガス雰囲気中での加熱処理を行って下地を清浄化する工程と、続いて、単結晶膜形成用ガス雰囲気中で加熱処理を行って前記下地にシリコンの単結晶膜を形成する工程と、前記単結晶膜形成工程に連続して、該単結晶膜上に、絶縁膜形成用ガス雰囲気中で加熱処理を行って、絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/26
