特許

J-GLOBAL ID：200903086744890877

p型II-VI族化合物半導体の形成方法

発明者： 橘野 裕 ,  安田 剛規 ,  奥山 峰夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070543
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256277
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 MOCVD法によりp型II-VI族化合物半導体を形成するに際し、該半導体中のp型キャリア濃度が1×1017cm-3以上を容易に達成可能なp型ドーパントを用いたp型II-VI族化合物半導体を形成する方法の提供。【解決手段】 気相成長法により基板上にp型II-VI族化合物半導体薄膜を成長させる方法において、p型ドーパントとして、一般式(1)〜(3):R1 MNHSiR23・・・・(1)、R1 MN(SiR23)2 ・・・・(2)または(R1 M)2 NSiR23・・・・(3)(ただし、R1 は炭化水素基、R2 は水素または炭化水素基、Mは亜鉛、マグネシウムまたはカドミウムのいずれかを示す。)で表される有機化合物を用いるp型II-VI族化合物半導体の形成方法。

請求項（抜粋）：

II族元素の原料、VI族元素の原料及びp型ドーパントを用いた気相成長法により基板上にp型II-VI族化合物半導体薄膜を成長させるp型II-VI族化合物半導体の形成方法において、上記p型ドーパントとして、一般式(1)〜(3) R1 MNHSiR23 ・・・・(1) R1 MN(SiR23)2 ・・・・(2)または (R1 M)2 NSiR23 ・・・・(3)(ただし、R1 は炭化水素基、R2 は水素または炭化水素基、Mは亜鉛、マグネシウムまたはカドミウムのいずれかを示す。)で表される有機化合物を用いることを特徴とするp型II-VI族化合物半導体の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/365 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/22 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/365 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 Z ,  H01L 29/22