特許

J-GLOBAL ID：200903086751146520

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 河上 賢司 ,  近藤 泰一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015749
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214315
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を向上させる。【解決手段】 鏡面処理を施した半導体ウエハの表面にエピタキシャル層を形成する場合に、次のようにする。まず、前加熱処理PAにおいては、エピタキシャル成長装置の処理室内にキャリアガスだけを流した状態で熱処理をすることにより半導体ウエハ表面の酸化膜を除去する。続いて、エピタキシャル成長処理Eでは、当該処理室内に成膜用の反応ガスを流して熱処理を施して半導体ウエハの表面にエピタキシャル層を形成する。そして、その前加熱処理PAおよびエピタキシャル成長処理Eを有する処理工程時時の最高処理温度を1130°C以下とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にエピタキシャル層を形成するための処理工程に際して、前記半導体基板中に析出される酸素析出量が確保可能な温度で処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/322 Y