特許

J-GLOBAL ID：200903086754269470

薄膜処理装置、薄膜処理方法および薄膜デバイス

発明者： 乾 哲也 ,  谷口 仁啓
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305403
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109911
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 光の利用効率を高め、処理時間を短縮することが可能な薄膜処理装置、薄膜処理方法および薄膜デバイスを提供する。【解決手段】 レーザ光源2からの光を、ビームエキスパンダ3で拡大かつ平行化し、分布補正レンズ4で放射照度分布の偏りを補正する。分布が一様化された光線を集合体レンズ5に導入して、それぞれの柱状レンズ5aの焦点付近に線状光像として結像させる。焦点面8aに処理すべき対象物である薄膜を設置することにより、その表面に線状光像8を形成できる。薄膜上に照射された光像部分でのパワー密度を所望の値に設定することにより、薄膜の一部が溶融し、かつ、照射されない部分は溶融されないまま残り、このことにより所望の溶融、結晶化のプロセスを行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板上の薄膜を処理する薄膜処理装置であって、レンズを用いて光源からの光を1以上の線状光像として薄膜上に照射し、薄膜の一部を溶融する処理手段を有することを特徴とする薄膜処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/268 ,  B23K 26/06 ,  G02B 27/09 ,  G02F 1/1368 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/20 ,  B23K101:36

FI (7件)：

H01L 21/268 J ,  B23K 26/06 E ,  G02F 1/1368 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/20 ,  B23K101:36 ,  G02B 27/00 E

Fターム (29件)：

2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092PA07 ,  2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097CA13 ,  2H097EA01 ,  2H097FA02 ,  2H097LA12 ,  4E068CD05 ,  4E068CD14 ,  4E068DA09 ,  5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BA07 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07