特許

J-GLOBAL ID：200903086756726070

半導体装置及びその製造方法

発明者： 江崎 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345781
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196650
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 キャパシタ容量の大きな半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板11上にシリコン酸化膜12a,12b,12cとBPSG膜13a,13b,13cを交互に堆積させた後、コンタクト孔を開口させ、熱処理を施して、BPSG膜13a,13b,13cを溶かし、コンタクト孔内周面より後退させて凹凸を形成する。このようなコンタクト孔内面に沿ってキャパシタ19を形成することに大容量化を達成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜にコンタクト孔が形成され、該コンタクト孔の内周壁に凹凸面が形成されると共に、該コンタクト孔内面に沿ってキャパシタ電極膜,キャパシタ誘電体膜,キャパシタ電極膜が順次形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04