特許
J-GLOBAL ID：200903086757226755

半導体装置およびその実装体

発明者：
井上 泰造

井上 泰造 について

, 
北崎 健三

北崎 健三 について

, 
麦谷 英児

麦谷 英児 について

, 
重谷 寿士

重谷 寿士 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-012839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202969
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 柱状部側面への濡れが防止されたボール状の低融点層を有する柱状電極を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板12上に設けられた柱状電極20を低融点層24と該低融点層よりも融点の高い柱状部22-1および22-2で構成し、柱状部22-1の上面に柱状部22-2を配置するとともに柱状部22-2の径を柱状部22-1の径よりも小さく形成し、低融点層24を柱状部22-2の上面に接合することで、低融点層24のリフローによるボール形成時に、該低融点層24が少なくとも径の大きな柱状部22-1の側面へ濡れることを防止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられた柱状電極を複数備えた半導体装置において、 前記柱状電極は、 導電材料から成る第1および第2の柱状部と、 前記柱状部よりも融点の低い導電材料で形成され、前記第2の柱状部の上面に接合された金属ボール部とを具備し、 前記第2の柱状部は、第1の柱状部よりも径が小さな部位を有し、前記金属ボール部と前記第1の柱状部との間に介在したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (1件)：
H01L21/92 602C
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置用電極と実装体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-300121   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法並びにその接合構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119236   出願人：カシオマイクロニクス株式会社
  • 米国特許第6,592,019号公報 ここで、上記の特許文献1には、同文献の段落0020および図1に示されたように、ワイヤーボンディング法によって金属柱を備えた接合バンプを形成する手法が開示されている。
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM