特許
J-GLOBAL ID：200903086760073854
半導体製造用炭化ケイ素質熱処理部材
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179010
公開番号（公開出願番号）：特開平5-001382
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】 炭化ケイ素1と金属ケイ素2の複合材よりなる基材と、前記基材の表面に設けた炭化ケイ素膜3よりなり、前記炭化ケイ素膜を前記基材の少なくとも被処理物を配置する側の表面に被覆し、前記基材の炭化ケイ素結晶粒子のうち前記炭化ケイ素膜近傍の平均粒子径が基材の他の部分の炭化ケイ素結晶粒子の平均粒子径より小さいことを特徴とする半導体製造用炭化ケイ素質熱処理部材。【効果】 基材と炭化ケイ素膜との密着性が改善される。また、炭化ケイ素と炭化ケイ素膜との間の気孔が小さくなり、気孔への応力集中による亀裂や破損が減り、強度が向上する。さらに、基材に金属ケイ素を含浸するのに十分な空隙があるので、バルク内に巣(未含浸部)が残りにくい。また、基材に本発明では微粉と粗粉の両方を使用しているので、原料の製造が経済的に有利である。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素と金属ケイ素の複合材よりなる基材と、前記基材の表面に設けた炭化ケイ素膜よりなり、前記炭化ケイ素膜を前記基材の少なくとも被処理物を配置する側の表面に被覆し、前記基材の炭化ケイ素結晶粒子のうち前記炭化ケイ素膜近傍の平均粒子径が基材の他の部分の炭化ケイ素結晶粒子の平均粒子径より小さいことを特徴とする半導体製造用炭化ケイ素質熱処理部材。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, C01B 31/36
, H01L 21/205
