特許

J-GLOBAL ID：200903086760132940

レジストパターン形成方法

発明者： 岡林 秀和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120755
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293458
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】半導体装置等の製造に用いられる紫外線、電子線、あるいはX線照射によるリソグラフィにおいて解像度や感度を向上した露光方法の提供。【構成】レジスト層上に形成された導電膜と試料との間に電界を印加した状態で露光する。

請求項（抜粋）：

レジスト層上に形成された導電層と試料との間に電界を印加した状態で露光することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 573 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 21/30 541 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-288017
  
• 特開平2-192716