特許
J-GLOBAL ID：200903086762714520
誘電体保護層の製造方法とその製造装置、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルと画像表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171313
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001771
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 プラズマディスプレイパネルの前面基板での誘電体保護層を密度が緻密で、かつ二次電子放出係数が高いものとする。【解決手段】 チャンバ2内を仕切板4で2つの部屋3a,3bに区分し、部屋3aに基板1を、部屋3bにMgOなどの蒸発源9を夫々配置する。蒸発源9は電子銃11から電子ビームEBが照射されて加熱蒸発し、蒸気流MBとして、仕切板4の開口部4aを通り、基板1の成膜面1aに照射され、これとともに、反応ガスボンベ14から反応ガス導入機構16を介して導入される反応ガスと反応してMgOの誘電体保護層が堆積する。部屋3aでは、この反応ガスが支配的な雰囲気が形成されてこれと蒸気流MBの蒸発粒子との反応が促進され、また、部屋3bでは、真空ポンプ12によって充分減圧されて残留ガスが取り除かれ、これにより、蒸気流MBの蒸発粒子が残留ガスの影響を受けることがない。
請求項（抜粋）：
基板と蒸発源を対峙させ、反応ガス中で電子ビームを該蒸発源に照射して該基板の成膜面に堆積させる誘電体保護層の製造方法において、開口部を有する仕切板を挟んで該基板と該蒸発源とを対峙させて配置し、反応ガスを該仕切板に対して該基板を配置した側から導入し、電子ビームを該蒸発源に照射することを特徴とする誘電体保護層の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/30
, H01J 9/02
, H01J 9/48
, H01J 11/00
, H01J 11/02
C23C 14/30 Z
, H01J 9/02 F
, H01J 9/48
, H01J 11/00 K
, H01J 11/02 B
4K029BA43
, 4K029BC00
, 4K029CA02
, 4K029DA01
, 4K029DA02
, 4K029DA06
, 4K029DB05
, 4K029DB19
, 4K029EA03
, 4K029EA07
, 4K029JA02
, 4K029JA03
, 4K029KA01
, 5C027AA07
, 5C040AA03
, 5C040BB04
, 5C040DD11
