特許

J-GLOBAL ID：200903086765984952

半導体製造装置の外部燃焼装置

発明者： 開発 秀樹 ,  山本 哲夫 ,  米満 修司 ,  渡辺 誠治 ,  遠目塚 幸二 ,  佐藤 武敏
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232419
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078404
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体製造装置の外部燃焼装置に於いて、水素が確実に燃焼し、未燃の水素ガスが排出されることのない様にする。【構成】半導体製造装置の反応管に連通された外部燃焼装置30に於いて、燃焼管34内に酸素供給管36、水素供給管37を連通し、前記水素供給管の水素ガス流出口近傍に吸熱板39を設け、前記反応管の外部に前記吸熱板に輻射熱を集光する集光加熱器44を設け、或は反応管に熱電対挿入管を挿通し、該熱電対挿入管の先端を吸熱板に接触、近傍に位置させ、前記吸熱板の温度を検出可能とし、或は更に水素火炎の紫外線を検出する炎センサ47を設けた構成であり、生成した水蒸気は反応管に供給される。燃焼状態は熱電対により吸熱板の温度を検出することで、或は炎の有無を検出することで監視され、水素の燃焼の確実が保証される。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置の反応管に連通された外部燃焼装置に於いて、燃焼管内に酸素供給管、水素供給管を連通し、前記酸素供給管より酸素ガスを、又前記水素供給管より水素ガスを供給し得る様にし、前記水素供給管の水素ガス流出口近傍に吸熱板を設け、前記反応管の外部に前記吸熱板に輻射熱を集光する集光加熱器を設けたことを特徴とする半導体製造装置の外部燃焼装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C01B 5/00 ,  F23C 11/00 ,  H01L 21/22 511