特許

J-GLOBAL ID：200903086766623988

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 細羽 弘之 ,  近藤 雅文 ,  幡 俊雄 ,  兼岩 進治 ,  大林 健 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  須山 尚宏 ,  松井 完益
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095159
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 光吸収層および電流阻止層に電流狭窄機構となる二重ストライプ溝を形成することにより,漏れ電流が低減した効率の良い屈折率導波構造を有し,安定した基本横モードで発振する半導体レーザ素子を得る。【構成】 第1の結晶成長工程により,半導体基板101上に,下部クラッド層102,活性層103,上部第1クラッド層104,および光吸収層105を順次成長させる。光吸収層105に第1のストライプ溝を形成する。第2の結晶成長工程により,電流阻止層107などを順次成長させる。電流阻止層107に第2のストライプ溝を形成する。第3の結晶成長工程により,上部第2クラッド層109およびコンタクト層110を順次成長させる。

請求項（抜粋）：

電流狭窄機構を備えたストライプ構造の半導体レーザ素子であって,第1導電型の半導体基板上に形成された,第1導電型の下部クラッド層と,活性層と,第2導電型の上部クラッド層と,第2導電型のコンタクト層を含み,さらに,上部クラッド層とコンタクト層との間に形成する場合には第1導電型であり,半導体基板と下部クラッド層との間に形成する場合には第2導電型であるような,活性層より禁制帯幅の小さい光吸収層と,活性層より禁制帯幅の大きい電流阻止層とを含む積層構造を有し,これら光吸収層および電流阻止層には電流狭窄機構となる二重のストライプ溝が形成され,そして,光吸収層に形成された第1のストライプ溝の幅が電流阻止層に形成された第2のストライプ溝の幅より大きい,半導体レーザ素子。