特許

J-GLOBAL ID：200903086772590226

半導体加速度センサ及びその製造方法

発明者： 吉田 幸久 ,  堤 和彦 ,  市川 淳一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275272
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体加速度センサにおいては、シリコン基板に形成した引き出し電極を介して、センサ内部の固定電極を外部と電気接続していたため、引き出し電極の占有面積が大きく、センサの小型化が困難であった。また固定電極と引き出し電極のオーミック接触を得ることが困難であった。【解決手段】 梁により支持された可動電極10bを形成したシリコン基板10と、該シリコン基板を挟んで対向する、固定電極18、19を表面に形成した2枚のガラス基板12、13を備え、ガラス基板が貫通孔12b、13bを有し、該貫通孔を介して固定電極がガラス基板裏面のシリコン電極26、27と接続している。シリコン基板の引き出し電極を介さずに固定電極から外部への電気接続経路の引き出しを行うため、センサの小型化し、接続部のオーミック接触を容易に確保することができる。さらに、ガラス融着及びガラス研磨を行わずに製造することが可能である。

請求項（抜粋）：

梁により支持された可動電極を形成したシリコン基板と、該シリコン基板を挟んで対向する、第1の固定電極を表面に形成した第1のガラス基板と、第2の固定電極を表面に形成した第2のガラス基板を備え、前記可動電極と該可動電極を挟む前記第1及び第2の固定電極との間の静電容量変化を検出する半導体加速度センサであって、前記第1及び第2のガラス基板が貫通孔を有し、該第1及び第2のガラス基板の裏面にシリコン電極が形成されており、前記第1及び第2の固定電極が貫通孔の内部にも形成されて裏面のシリコン電極に接続したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (9件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA26 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01