特許
J-GLOBAL ID：200903086776213672
レーザートリミング処理を施す半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135792
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 ヒューズ素子上の層間絶縁膜の残膜厚の制御性を向上させる。【解決手段】 フィールド酸化膜1、ヒューズ素子3、層間絶縁膜5、第1メタル配線7及び層間絶縁膜9を順次形成する(A)。ヒューズ素子3上に開口部11a及びメタル配線9上に開口部11bをもつフォトレジストパターン11をマスクにしてエッチング処理を施し、層間絶縁膜9にトリミング窓開口部9aとスルーホール9bを同時に形成する(B)。第2メタル配線13並びに保護膜としてのシリコン酸化膜15及びシリコン窒化膜17を形成した後、ヒューズ素子3上に開口部19a及びメタル配線13上に開口部19bをもつフォトレジストパターン19を形成し(C)、それをマスクにしてエッチング処理を施し、トリミング窓開口部9a,15a,17aとボンディングパッド開口部15b,17bを同時に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介してヒューズ素子を形成し、そのヒューズ素子上に多層配線用の少なくとも1層の層間絶縁膜を形成し、最上層の層間絶縁膜上に保護膜を形成した後、ヒューズ素子上に周囲よりも絶縁膜の膜厚を薄くして形成されたレーザートリミング用のトリミング窓開口部を介して、ヒューズ素子にレーザートリミング処理を施す半導体装置の製造方法において、前記ヒューズ素子上に最下層の層間絶縁膜を形成した後、前記ヒューズ素子上に新たな層間絶縁膜が形成されるごとに、前記ヒューズ素子上の前記新たな層間絶縁膜に開口部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
H01L 27/04 V
, H01L 21/82 F
5F038AV02
, 5F038AV15
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
, 5F064FF27
, 5F064FF34
, 5F064FF42
, 5F064GG03
