特許
J-GLOBAL ID：200903086786763557
プラズマプロセス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300979
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326494
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高いエッチング速度を達成するための適切なイオン密度、直径の大きい基板の材料を均一に除去するための均一なイオン電流、プラズマ内でのより均一なイオン分布及びアスペクト比の大きい構造内のイオンのより高い指向性を提供することのできる、簡単な構造の機械によって実施されるプラズマ源システムを提供する。【構成】チャンバ30と、チャンバ内の基板32をその表面上に支持するプラテン40とを有する、集積回路製造用のプラズマプロセス装置であって、その基部の巻線がプラテン40の前記表面に略平行であって、かつ表面と同一平面上にあり、他の巻線が各々プラテンの表面に略平行であり、チャンバが内部に配置された半球型のインダクションコイル18と、インダクションコイル18に連結された低周波ラジオ周波電源と、基板32をバイアスするためにプラテンに連結されたバイアス電源を有する。
請求項（抜粋）：
チャンバと、前記チャンバ内の基板をその表面上に支持するプラテンとを有する、集積回路製造用のプラズマプロセス装置であって、その基部の巻線が前記プラテンの前記表面に略平行であって、かつ前記表面と同一平面上にあり、他の各々の巻線が前記プラテンの前記表面に略平行であり、前記チャンバが内部に配置された半球型のインダクションコイルと、前記インダクションコイルに連結された低周波ラジオ周波電源と、前記基板をバイアスするために前記プラテンに連結されたバイアス電源とを有することを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
