特許
J-GLOBAL ID：200903086790900356
MIS型半導体装置とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-023286
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216156
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高いMIS型半導体装置を低温プロセスによって作製することを目的とする。【構成】 MIS型半導体装置の作製方法に関し、半導体基板もしくは半導体薄膜に選択的に不純物領域を形成し、ついで、前記不純物領域とそれに隣接する活性領域の境界にもレーザーもしくはそれと同等な強光が照射されるようにして、レーザーもしくはそれと同等な強光を上面から照射することによって、活性化をおこなうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項（抜粋）：
半導体上に絶縁被膜を介して導電性材料によって配線を形成する工程と、前記配線表面に選択的に被膜を形成する工程と、前記工程によって処理された配線部をマスクとして、自己整合的に半導体中に不純物を導入する工程と、不純物導入後、配線表面に形成された被膜の一部もしくは全てを除去して活性領域と不純物領域との境界またはその近傍の少なくとも一部を露出せしめ、これに上面よりレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって、不純物の導入された領域の結晶性を改善せしめる工程とを有することを特徴とするMIS型半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 Y
