特許
J-GLOBAL ID:200903086806109549
ポジ型フォトレジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
塩出 真一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-345381
公開番号(公開出願番号):特開2000-171968
出願日: 1998年12月04日
公開日(公表日): 2000年06月23日
要約:
【要約】【構成】 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、キノンジアジド基含有化合物とからなる基本組成に対し、この基本組成の100重量部当り0.01〜20重量部の一般式化1で表わされるベンゾトリアゾール類(I)の中から選ばれた少なくとも1種類を含有させたポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【効果】 レジストの保存安定性を損なうことなく、半導体デバイスやTFT(薄膜トランジスタ)などの製造における各種基板に対する現像時及びウェットエッチング時の密着性に優れたレジストパターンを形成させる。
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、キノンジアジド基含有化合物とからなる基本組成に対し、この基本組成の100重量部当り0.01〜20重量部の一般式化1で表わされるベンゾトリアゾール類(I)の中から選ばれた少なくとも1種類を含有させたことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】
IPC (3件):
G03F 7/022
, G03F 7/085
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/022
, G03F 7/085
, H01L 21/30 502 R
Fターム (6件):
2H025AA14
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB29
, 2H025CC06
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