特許
J-GLOBAL ID：200903086806438496
PNPトランジスタ、半導体集積回路、半導体装置の製造方法及び半導体集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097226
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 PNPトランジスタの高速化を達成し、NPNトランジスタとの間で真のコンプリメンタリ回路を実現できるようにする。【構成】 PNPトランジスタのエミッタコンタクトに、ボロンをドープしたポリシリコン層13を設ける。このポリシリコン層13は、不純物をドープしないポリシリコン層10とボロンの拡散源であるボロンドープ膜11とを全面に積層し、その後、フォトレジスト12により、エミッタコンタクト8の上のみにこれらを選択的に残し、熱処理を行なって形成する。ボロンドープ膜11からのポリシリコン層10へのボロンの拡散に引続いてポリシリコン層10からN型領域6にボロンが拡散し、P型エミッタ領域14が形成される。
請求項（抜粋）：
エミッタコンタクトが形成されたPNPトランジスタにおいて、前記エミッタコンタクト上に、P型不純物を含有するポリシリコン層が選択的に形成されていることを特徴とするPNPトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/225
, H01L 21/8249
, H01L 27/06
H01L 29/72
, H01L 27/06 321 B
