薄膜状半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉順之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-073051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341024
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【目的】異なった特性の薄膜トランジスタを同一基板上に形成した半導体装置の提供。【構成】絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、アモルファス半導体被膜を形成した後、異なる第1の条件のレーザー光を選択的に照射した後に、第2の条件のレーザー光を基板全面にもしくはその一部に照射することによって、薄膜トランジスタの結晶性を変化させることによって、1枚の基板上に異なった特性の薄膜トランジスタを形成して薄膜状半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成され、アルミニウムを主成分とする金属材料をゲイト電極として有する複数の薄膜トランジスタを持つアクティブマトリクス回路及び周辺駆動回路を備える薄膜状半導体装置において、前記アクティブマトリクス回路中の薄膜トランジスタの活性領域はエネルギー密度の低いレーザー光の照射によって結晶化された半導体からなり、前記周辺駆動回路中の薄膜トランジスタの活性領域は、前記アクティブマトリクス回路中の半導体を結晶化させる際に使用したレーザー光より高いエネルギー密度を有するレーザー光によって結晶化された半導体からなることを特徴とする薄膜状半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭64-045162
特開平4-124813
特開平2-027320

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