特許

J-GLOBAL ID：200903086811484021

酸化物薄膜の製造方法

発明者： 中田 勉 ,  鈴木 秀直
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014478
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217184
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 スループットを低下させることなく、成膜中に膜に取り込まれる組成比を一定に制御することができるようにする。【解決手段】 成膜室内に配置された基板を加熱しつつ、該基板に向けて少なくとも原料ガスと酸化ガスとを噴出させて基板表面に酸化物薄膜を成長させるにあたり、原料ガス及び/または酸化ガスにより基板が触媒作用で温度上昇を起こす温度まで上昇する前に、基板の表面に初期酸化膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

成膜室内に配置された基板を加熱しつつ、該基板に向けて少なくとも原料ガスと酸化ガスとを噴出させて基板表面に酸化物薄膜を成長させるにあたり、原料ガス及び/または酸化ガスの影響で基板が触媒作用を起こして温度上昇する温度まで基板温度が上昇する前に、基板の表面に初期酸化膜を成膜することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (24件)：

4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045EE18 ,  5F045GB05 ,  5F083AD00 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 膜の形成方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-279096   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜の形成方法および装置、並びにこの方法により製造された半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-052163   出願人：株式会社東芝