特許
J-GLOBAL ID：200903086811674807
エピタキシヤル成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102044
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、信頼性の高いエピタキシャル成長層を形成することのできるエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、基板の反りを検出する反り検出手段8,9をもうけ、基板1の反りが所定の値を越えないようにエピタキシャル成長温度までの昇温およびエピタキシャル成長温度からの降温を制御するようにしている。
請求項（抜粋）：
基板を載置する基板支持台と、基板支持台を加熱し熱伝導により基板を加熱する加熱手段と、基板表面に反応性ガスを供給するガス供給手段とを具備したエピタキシャル成長装置において、前記基板の反りを検出する反り検出手段と、前記反り検出手段の検出出力に基づき、基板の反りが所定の値を越えないようにエピタキシャル成長温度までの昇温およびエピタキシャル成長温度からの温度降下を制御する制御手段とを有することを特徴とするエピタキシャル成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, G01B 11/16
