特許

J-GLOBAL ID：200903086815567126

シリコン基板のプラズマエッチング方法

発明者： 土師 宏 ,  有田 潔 ,  岩井 哲博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085391
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 機械研削後のシリコン基板のプラズマエッチングにおいて、ばらつきのない均一なエッチング品質を確保することができるシリコン基板のプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 研削加工後のシリコン基板7のプラズマエッチングを行うシリコン基板のプラズマエッチング方法において、処理室5内に酸素ガスを供給した状態でプラズマ放電を行わせてシリコン基板7のクリーニングを行う第1のプラズマ処理工程後に、処理室内に酸素とフッ素ガスを含む混合ガスを供給した状態でプラズマ放電を行わせる第2のプラズマ処理工程によりシリコン基板7の表面を除去するプラズマエッチングを行う。これにより、有機汚染物に起因するエッチング品質のばらつきを排除して均一なプラズマエッチングを行うことができる。

請求項（抜粋）：

処理室内でプラズマ放電を発生させることによりシリコン基板のプラズマエッチングを行うシリコン基板のプラズマエッチング方法であって、処理室内に配置された電極にシリコン基板を保持させ、前記処理室内に酸素ガスの構成比率が60%以上の第1のガスを供給した状態で前記電極に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を行わせて前記シリコン基板のクリーニングを行う第1のプラズマ処理工程と、この第1のプラズマ処理の後に前記処理室内に酸素とフッ素系ガスの混合ガスであってフッ素系ガスの構成比率が60%以上の第2のガスを供給した状態で前記電極に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を行わせて前記シリコン基板のエッチングを行う第2のプラズマ処理工程とを含むことを特徴とするシリコン基板のプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 F

Fターム (17件)：

5F004AA01 ,  5F004AA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB23 ,  5F004EA38