特許

J-GLOBAL ID：200903086818061347

厚さの異なるチャネルを有する金属半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： サプタリシ シュリラム
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543305
公開番号（公開出願番号）：特表2009-517883
出願日： 2006年11月14日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の単位セルが提供される。単位セルは、ソース(13)、ドレイン(17)、及びゲート(24)を有するMESFETを含んでいる。ゲートは、ソースとドレインの間で、MESFETのチャネル層(18)上にある。チャネル層は、チャネル層のソース側に第1の厚さと、チャネル層のドレイン側に、第1の厚さより厚い第2の厚さとを有する。MESFETの製造もまた提供される。

請求項（抜粋）：

金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の単位セルであって、 ソースとドレイン及びゲートを有するMESFETを含み、前記ゲートは、前記ソースと前記ドレインの間で、前記MESFETのチャネル層上にあり、前記チャネル層は、前記チャネル層のソース側に第1の厚さと、前記チャネル層のドレイン側に、前記第1の厚さより厚い第2の厚さとを有することを特徴とするMESFETの単位セル。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 B

Fターム (17件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GR11 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102HC07 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (11件)

• 米国特許出願第10/304272号明細書
  
• 米国特許出願第11/012553号明細書
  
• 米国特許出願第11/157356号明細書
  
• 米国特許第4762806号明細書
  
• 米国特許第4757028号明細書
  
• 米国特許第5270554号明細書
  
• 米国特許第5925895号明細書
  
• 米国特許第6686616号明細書
  
• 米国特許第6906350号明細書
  
• 米国特許出願第10/977054号明細書
  
• 米国特許出願第10/977227号明細書