特許
J-GLOBAL ID：200903086822253463

磁気記録媒体及び磁気記憶装置

発明者：
岡本 巌

岡本 巌 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-060942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-263714
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関し、分解能やNLTSを劣化させることなく熱安定性の改善を行なうことが可能とすることを目的とする。【解決手段】 飽和磁化Ms1及び膜厚t1を有する第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ飽和磁化Ms2及び膜厚t2を有する第2の磁性層と、第2の磁性層上に設けられた第2の非磁性層と、第2の非磁性層上に設けられ飽和磁化Ms3及び膜厚t3を有する第3の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、第1、第2及び第3の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ms2×t2<(Ms1×t1+Ms3×t3)なる関係が成立するように構成する。
請求項（抜粋）：
飽和磁化Ms1及び膜厚t1を有する第1の磁性層と、該第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、該第1の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ms2及び膜厚t2を有する第2の磁性層と、該第2の磁性層上に設けられた第2の非磁性層と、該第2の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ms3及び膜厚t3を有する第3の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、該第1、第2及び第3の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ms2×t2<(Ms1×t1+Ms3×t3)なる関係が成立することを特徴とする、磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 5/66 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/738
FI (3件)：
G11B 5/66 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/738
Fターム (2件)：
5D006BB07 ,  5D006BB08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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