特許
J-GLOBAL ID：200903086838248133
高周波増幅器のバイアス回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289932
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135133
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 デュアルゲート電界効果トランジスタを用いた利得制御可能な高周波増幅器において、利得制御に伴うドレイン電流変化に拘らずソース電圧を一定に保つことで、低電圧電源動作を可能にする。【解決手段】 電界効果トランジスタ1のソース5の電圧を電圧比較器15の比較電圧入力端子15aへ供給する。電圧比較器15の基準電圧入力端子15bに基準電圧源16の基準電圧を供給する。電圧比較器15の出力端子15cをソース抵抗14を介してソース5へ接続する。電圧比較器15は、ソース5の電圧と基準電圧源16の基準電圧とが等しくなるよう出力電圧を制御するので、ドレイン電流変化に拘らずソース5の電圧が一定に保持される。
請求項（抜粋）：
デュアルゲート電界効果トランジスタを用いた利得制御可能な高周波増幅器のバイアス回路において、前記デュアルゲート電界効果トランジスタのソース端子の電圧を検出するソース電圧検出手段と、前記ソース電圧検出手段で検出したソース端子電圧と基準電圧とを比較する電圧比較手段と、この電圧比較手段の比較出力に基づいて前記ソース端子電圧を一定に制御するソース端子電圧制御手段とを備えたことを特徴とする高周波増幅器のバイアス回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03G 3/10 C
, H04N 5/14 B
