ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327464
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135489
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】ダイオードにFLRを形成しても、耐圧向上を十分に図ることが困難であった。【解決手段】 N-形半導体領域(11)とP形半導体領域(12)とN+形半導体領域(13a)とN形半導体領域(13b)とFLR領域(14)とを有し、FLR領域(14)とN+形半導体領域(13a)との最短距離をP形半導体領域(12)とN+形半導体領域(13a)との最短距離よりも長くなるようにN+形半導体領域(13a)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に第1の導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に側面及び底面が包囲された前記第1の導電形と反対導電形である第2の導電形の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域とは反対側で接し且つ前記第1の半導体領域よりも不純物濃度の高い前記第1導電形の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域に側面及び底面が包囲された前記第2の導電形のフィールド・リミッティング・リング領域とが設けられ、前記半導体基板の一方の主面において前記第2の半導体領域に第1の電極が接続され、前記半導体基板の他方の主面において前記第3の半導体領域に第2の電極が接続されたダイオードにおいて、前記第3の半導体領域が前記第2の半導体領域の下方に配置された第1の部分と前記フィールド・リミッティング・リング領域の下方に配置された第2の部分とを有し、前記第1の部分と前記第1の半導体領域とが接する界面が前記第2の部分と前記第1の半導体領域とが接する界面よりも前記半導体基板の一方の主面側に位置し、前記フィールド・リミッティング・リング領域と前記第3の半導体領域との最短距離が前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域との最短距離よりも長くなっていることを特徴とするダイオード。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-078162
特開昭61-214572

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