特許
J-GLOBAL ID：200903086846816302
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259076
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】絶縁膜/化合物半導体構造、半導体/化合物半導体構造、金属/化合物半導体構造を有する装置において、その特性の向上を図る。【構成】酸化物の無い清浄なIII-V族化合物半導体表面にテルル分子線、或はテルル化物ガスを照射して反応させ、該化合物半導体構成元素のテルル化物からなる変性層2を形成する。【効果】テルルにより化合物半導体表面の未結合手が有効に終端され、界面準位の発生を阻止することができる。且つ、テルルを用いることにより変性層から化合物半導体への終端原子の拡散による特性劣化も低減できる。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体上に固体層が形成されている半導体装置において、前記固体層と前記III-V族化合物半導体の界面に少なくともテルルを含む分子線あるいはガスを反応させて得られる前記III-V族化合物半導体の構成元素のテルル化物から成る変性層が挿入されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/20
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/784
, H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 31/04
H01L 29/72
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/80 H
, H01L 31/04 F
