特許
J-GLOBAL ID：200903086846858722
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110139
出願日： 1991年10月12日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 結晶性に優れた窒化ガリウムアルミニウムの混晶膜が得られる結晶成長方法を提供することにより、シングルヘテロ、ダブルヘテロ構造の発光ダイオード、レーザーダイオードを実現する。【構成】 薄膜のGaN層と薄膜のAlN層とを交互に成長させた多層膜層を成長させ、さらにその多層膜層のGaN層とAlN層のそれぞれの総膜厚の比が窒化ガリウムアルミニウム半導体のモル比に対応しているように、GaN層とAlN層とを成長させる。
請求項（抜粋）：
一般式がGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0<X<1)で表される窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法であって、薄膜のGaN層と薄膜のAlN層とを交互に成長させた多層膜層を成長させ、さらにその多層膜層のGaN層とAlN層のそれぞれの総膜厚の比が前記窒化ガリウムアルミニウム半導体のモル比に対応しているように、GaN層とAlN層とを成長させることを特徴とする窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01S 3/18
