圧電薄膜共振子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064197
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261933
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】フィルタ等に適用した場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広く、下部電極を露出させる必要のない圧電薄膜共振子を提供する。【解決手段】ゾルゲル法により形成された厚さ0.1〜10μmのチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)またはチタン酸鉛(PT)薄膜よりなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる2つの電極を備えた圧電薄膜共振子を半導体基板上に形成された誘電体薄膜のバッファー層上に形成し、上記2つの電極間に電界をかけ、分極処理し圧電体薄膜とする。必要に応じて、バッファー層は、ゾルゲル法により形成された厚さ0.01〜1.0μmのチタン酸バリウムストロンチウム(BST)、チタン酸ストロンチウム(STO)またはチタン酸バリウム(BTO)の薄膜であり、2つの電極の間隔が0.5〜10μmであり、半導体基板の裏面の一部をエッチング除去したものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる2つの電極を備えた圧電薄膜共振子において、上記圧電体薄膜は、上記半導体基板上に形成された誘電体薄膜のバッファー層上に形成されている圧電薄膜共振子であって、上記圧電体薄膜はゾルゲル法により形成されたチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)またはチタン酸鉛(PT)薄膜よりなり、上記2つの電極間に電界をかけ、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)またはチタン酸鉛(PT)薄膜を分極処理することにより圧電体薄膜としたことを特徴とする圧電薄膜共振子。

前のページに戻る