特許

J-GLOBAL ID：200903086850210044

半導体装置の製造方法及び検査方法

発明者： 三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195510
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031228
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 OBIRCH法に基づいて、プラグ欠陥の発生原因を究明する方法を提供する。【解決手段】 2端子抵抗測定法でチェーン抵抗Rを求めた後、レーザービームを走査しながらチェーンパターンでの電流波形を観測し、電流波形が正負に変化した回数から欠陥数xを求める。基板内任意箇所についてチェーン抵抗Rと欠陥数xを調べる。図6に示すように、サンプルA,B,Cの欠陥数xとチェーン抵抗Rの関係から、それぞれ近似線R=mx+bを求める。切片bから無欠陥状態のチェーン抵抗が推定できる。さらに、傾きmが大きいサンプルではヴィアホールの側壁に不具合があるために上面が平坦な形状のボイドが存在し、一方、傾きmが小さいサンプルではAlを流動させるための温度や保持時間が不足し、流動途中でプロセスが終了したためにドーム形状のボイドが存在すると推定できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置を構成する配線又は配線間を連結するメタルプラグの欠陥発生状況を調べる半導体装置の検査方法において、上下配線を接続孔で連結したチェーンパターンを基板内に複数個形成し、少なくとも2個以上の前記チェーンパターンの検査対象において、最初に2端子抵抗測定法を用いて前記検査対象の抵抗値Rを求め、次に前記検査対象の電流密度を所定の範囲に設定した状態で、レーザービームを前記検査対象に走査しながら電流変化を検出し、電流値が基準値に対して増減した回数を欠陥数xとして求め、複数箇所における前記検査対象の抵抗値Rと欠陥数xの関係から、直線性があればメタルプラグの欠陥が抵抗バラツキの原因であると判断し、直線性がなければ他の原因であると判断することを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/04 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 27/04 Z ,  G01R 31/26 G

Fターム (28件)：

2G003AA00 ,  2G003AB06 ,  2G003AH04 ,  2G003AH10 ,  2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF04 ,  2G060AF07 ,  2G060EA04 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060GA01 ,  2G060HA01 ,  2G060HA03 ,  2G060HC07 ,  2G060HC10 ,  2G060HE01 ,  2G060KA16 ,  4M106AA11 ,  4M106AD06 ,  4M106BA05 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CA10 ,  4M106CA38 ,  4M106DH01 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ38