荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法、データ変換方法、半導体装置の製造方法及びそれに用いるマスク

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219134
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093831
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】しかしながら、より高精度な露光を行う為には更に高精度に空間電荷効果に起因する収差の補正が望まれる。【解決手段】転写すべきパターンが配置されたマスクに荷電粒子線を照明することにより転写小領域を形成し、転写小領域内のパターンの転写像を投影光学系を用いて感応基板上に形成する荷電粒子線露光装置であって、転写小領域内のパターン開口分布、照明電流値、照明荷電粒子線の開き角分布、照明荷電粒子線の加速電圧、マスクと感応基板間の距離及び投影光学系の光学特性から計算された空間電荷効果に起因する収差を補正するための補正値に基づいて荷電粒子線補正光学系により転写像を補正する事を特徴とする荷電粒子線露光装置。

請求項（抜粋）：

転写すべきパターンが配置されたマスクに荷電粒子線を照明することにより転写小領域を形成し、転写小領域内のパターンの転写像を投影光学系を用いて感応基板上に形成する荷電粒子線露光装置であって、転写小領域内のパターン開口分布、照明電流値、照明荷電粒子線の開き角分布、照明荷電粒子線の加速電圧、マスクと感応基板間の距離及び投影光学系の光学特性から計算された空間電荷効果に起因する収差を補正するための補正値に基づいて荷電粒子線補正光学系により転写像を補正する事を特徴とする荷電粒子線露光装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 504 , H01J 37/153 , H01J 37/305

FI (6件)：

G03F 1/16 B , G03F 7/20 504 , H01J 37/153 Z , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 E , H01L 21/30 541 S

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