半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-339918
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149812
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】シリコン系材料、例えばシリコン基板、多結晶シリコンパターン等をドライエッチングする際の前処理のエッチングに、フッ化水素とアンモニアとからなるエッチングガスを用いることで、自然酸化膜を選択的に除去することを可能とする。【解決手段】酸化シリコン(素子分離領域12、サイドウォール18、19等)と表面に自然酸化膜21、22が形成されたシリコン系材料(シリコン基板11)とが露出された状態で自然酸化膜21、22を除去する工程と、自然酸化膜21、22が除去されたシリコン系材料(シリコン基板11)をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、自然酸化膜21、22を除去する工程は、エッチングガスにフッ化水素とアンモニアとを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化シリコンと表面に自然酸化膜が形成されたシリコン系材料とが露出された状態で前記自然酸化膜を除去する工程と、前記自然酸化膜が除去された前記シリコン系材料をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記自然酸化膜を除去する工程は、エッチングガスにフッ化水素とアンモニアとを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/306 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 301S , H01L21/302 102 , H01L29/78 301P , H01L29/78 301G

Fターム (54件)：

5F004AA05 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA20 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004EA21 , 5F004EA38 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004FA01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BC05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF30 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH27 , 5F140BK01 , 5F140BK05 , 5F140BK08 , 5F140BK09 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC13 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

PCT WO 2004/084280号 A2 パンフレット

審査官引用 (5件)

特開平3-147322
特開平3-147322
シリコン酸化膜の除去方法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-124095 出願人：東京エレクトロン株式会社

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