特許

J-GLOBAL ID：200903086854777677

半導体装置の製造方法

発明者： 鎌田 順夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195137
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041499
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,メモリ回路の形成された半導体基板にα線を遮断する保護膜を形成し,かつ寸法精度のよい突出電極を形成する方法の提供を目的とする。【構成】 半導体基板1上に少なくともメモリ回路形成領域を覆って展延する感光性ポリイミド樹脂膜4を形成する工程と, 感光性ポリイミド樹脂膜4を加工して,突出電極形成部に開孔4aを形成する工程と, 開孔4aを導電体で埋め込んで突出電極9を形成する工程とを有するように構成する。また,感光性ポリイミド樹脂膜4の厚さを,28μm乃至50μmとするように構成する。また,感光性ポリイミド樹脂膜4がエステル結合型感光性ポリイミド樹脂膜であるように構成する。

請求項（抜粋）：

メモリ回路の形成された半導体基板(1) に突出電極(9) を形成するに際し,該半導体基板(1) 上に少なくとも該メモリ回路形成領域を覆って展延する感光性ポリイミド樹脂膜(4) を形成する工程と,該感光性ポリイミド樹脂膜(4) を加工して,突出電極形成部に開孔(4a)を形成する工程と,該開孔(4a)を導電体で埋め込んで突出電極(9) を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/10 491 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321