特許
J-GLOBAL ID：200903086860336542

半導体装置およびその製造方法

発明者：
君塚 直彦

君塚 直彦 について

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岩本 敏幸

岩本 敏幸 について

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今井 清隆

今井 清隆 について

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益岡 有里

益岡 有里 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について

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日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237209
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093670
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 従来のチャネル領域に不純物を注入することのみで閾値電圧を調整するよりも少ない不純物量で電界効果型トランジスタの閾値電圧を調整する。【解決手段】 半導体装置100は、シリコン基板101と、シリコン基板101上に形成されたSiON膜113および多結晶シリコン膜106を含むP型MOSFET103を備える。多結晶シリコン膜106とSiON膜113との界面115に、Hf、Zr、Al、La、Pr、Y、Ti、TaおよびWからなる群から選択される一または二以上の金属が存在する構成とし、界面115における当該金属の濃度を5×1013atoms/cm2以上1.4×1015atoms/cm2未満とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上に設けられたSi含有ゲート電極と、 前記半導体基板と前記Si含有ゲート電極との間に設けられ、前記Si含有ゲート電極と接するゲート絶縁膜と、 を含む複数の電界効果型トランジスタを備え、 前記複数の電界効果型トランジスタにおいては、前記Si含有ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との界面に、Hf、Zr、Al、La、Pr、Y、Ti、TaおよびWからなる群から選択される一または二以上の金属が存在し、 前記界面における前記金属の濃度が5×1013atoms/cm2以上1.4×1015atoms/cm2未満であり、 少なくとも1つの前記電界効果トランジスタのチャネル領域中の不純物濃度は、他の前記電界効果トランジスタのチャネル領域中の不純物濃度と異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L27/08 102C ,  H01L29/78 301G
Fターム (55件)：
5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD02 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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