特許
J-GLOBAL ID：200903086860438710
高周波混成集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032352
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252672
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 高周波混成集積回路装置において装置内部のバイポーラ・トランジスタを電圧駆動させることにより安定に出力信号を制御し、出力信号制御電流を低減する。【構成】 高周波混成集積回路において出力制御用電源端子2と装置内部のバイポーラ・トランジスタ8との間に電界効果トランジスタ12を挿入するようにした。
請求項（抜粋）：
バイポーラ・トランジスタを有する高周波混成集積回路装置において、上記バイポーラ・トランジスタにバイアス電圧を印加する出力信号制御用電源端子と、上記バイポーラ・トランジスタのベース端子との間に、MOS形電界効果トランジスタを挿入してバイアス回路を構成してなることを特徴とする高周波混成集積回路装置。
IPC (3件)：
H03G 1/04
, H01L 27/06
, H03G 3/00
